失效分析(FA

旺矽釋義

對所有半導體製造商及晶片設計公司而言,分析元件失效的真因是必要的。

量測需求

失效分析的流程主要有下面幾個類別:

  • 依據漏電流或開路/短路量測,判斷為電性或是功能失效
  • 利用熱點及放射分析、雷射切割及次微米等級內部節點點測進行失效定位
  • 利用次微米探測或掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)、能量色散X射線光譜儀(EDX)、原子力顯微鏡(AFM)進行物理性失效分析
  • 微位移(micro-motion)分析為晶圓級量測其中一個類別,特別是微機電系統(MEMS)元件
  • 需於 10 kV 測試環境下進行失效分析的高功率元件

旺矽解決方案

旺矽的解決方案可滿足失效分析(FA)應用的所有需求,幫助您在最短時間內獲得可靠、精準的量測結果。旺矽高穩定度的工程探針台系統及精密的微定位器MicroPositioners為驗證電性失效、定位以及除錯提供最佳解決方案,搭配防震環境及高倍率顯微鏡,提供您點測微米結構的能力。

可同步使用探針卡及微定位器(適用於待測物驅動與內部訊號量測)、於具備溫控(最低可達 -60°C)、光及電磁波屏蔽功能之 TS2000-SE TS200-SE 探針台上量測微小訊號,以及其他先進量測技術的創新,皆僅是旺矽失效分析(FA)測試解決方案中的一小部分。

旺矽工程探針台系統可輕鬆與顯微鏡(如日本 Hamamatsu Photonics)進行整合搭配,以偵測及定位失效的積體電路。 另一方面,TS150TS200-HP 探針台系統則是至高 10 kV 600 A 高功率High Power元件等效分析的最佳選擇。