建模及製程研發的元件特性描述

旺矽釋義  Engineering Probe System ShielDCapmid

半導體元件之建模係基於基礎物理學、幾何學、設計及操作條件,建構分離式及電子元件(電晶體、電感器、二極體等)的初步模型。在元件上進行晶圓級電性量測以了解元件本身特性,為建模的重要步驟之一。然而隨著新元件技術、新材料的崛起、以及製程之發展與整合,元件的電性量測面臨日益精密且複雜的測試挑戰。

量測需求

基本的元件特性描述及建模需要進行精準的 I-VC-V、射頻、負載拉移及雜訊量測,故於可控制溫度及電磁波阻隔之環境下測試為特性描述之先決條件。

工程師面臨量測重現性、下針穩定度、外部雜訊、探針及晶圓載台之漏電流、系統的溫控性能,以及元件與各測試儀器間電氣之連接等諸多挑戰。

旺矽解決方案

旺矽工程探針台系統係為提供最精準、可靠的量測結果而生。旺矽 TS2000-SE TS200-SE 探針台皆提供電磁波及光屏蔽環境,另搭配專用配件如:同軸、Kelvin、三軸量測連接之線材、具備低漏電功能之高低溫晶圓載台(在 -60 300 °C 的溫度範圍中,最低可達 fA 等級,且具備優異的溫度均勻度)等,適合用於進行準確的元件特性描述

旺矽亦提供完整的射頻量測解決方案,透過旗下校正軟體 QAlibria® 及 RF 探針,可在至高 110 GHz 的頻率範圍內協助您達到精準的射頻量測及校正結果。