失效分析(FA)
失效分析(FA)
旺矽釋義
對所有半導體製造商及晶片設計公司而言,分析元件失效的真因是必要的。
量測需求
失效分析的流程主要有下面幾個類別:
- 依據漏電流或開路/短路量測,判斷為電性或是功能失效
- 利用熱點及放射分析、雷射切割及次微米等級內部節點點測進行失效定位
- 利用次微米探測或掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)、能量色散X射線光譜儀(EDX)、原子力顯微鏡(AFM)進行物理性失效分析
- 微位移(micro-motion)分析為晶圓級量測其中一個類別,特別是微機電系統(MEMS)元件
- 需於 10 kV 測試環境下進行失效分析的高功率元件
旺矽解決方案
旺矽工程探針台系統可輕鬆與顯微鏡(如日本 Hamamatsu Photonics)進行整合搭配,以偵測及定位失效的積體電路。 另一方面,TS150/TS200-HP 探針台系統則是至高 10 kV 及 600 A 高功率(High Power)元件等效分析的最佳選擇。