失效分析 (FA)
旺矽釋義
對所有半導體製造商及晶片設計公司而言，分析元件失效的真因是必要的。
量測需求
失效分析的流程主要有以下幾個類別：
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- 依據漏電流或開路／短路量測，判斷為電性或是功能失效
- 利用熱點及放射分析、雷射切割及次微米等級內部節點點測進行失效定位
- 利用次微米探測或掃描式電子顯微鏡（SEM）、穿透式電子顯微鏡（TEM）、能量色散X射線光譜儀（EDX）、原子力顯微鏡（AFM）進行物理性失效分析
- 微位移（micro-motion）分析為晶圓級量測其中一個類別，特別是微機電系統（MEMS）元件
- 需於 10 kV 測試環境下進行失效分析的高功率元件
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旺矽解決方案
旺矽的解決方案可滿足失效分析（FA）應用的所有需求，幫助您在最短時間內獲得可靠、精準的量測結果。旺矽高穩定度的工程探針台系統及精密的微定位器（MicroPositioners）為驗證電性失效、定位以及除錯提供最佳解決方案，搭配防震環境及高倍率顯微鏡，提供您點測微米結構的能力。
可同步使用探針卡及微定位器（適用於待測物驅動與內部訊號量測）、於具備溫控（最低可達 -60°C）、光及電磁波屏蔽功能之 TS2000-SE和 TS200-SE 探針台上量測微小訊號，以及其他先進量測技術的創新，皆僅是旺矽失效分析（FA）測試解決方案中的一小部分。
旺矽工程探針台系統可輕鬆與顯微鏡（如日本 Hamamatsu Photonics）進行整合搭配，以偵測及定位失效的積體電路。 另一方面，TS150／TS200-HP 探針台系統則是至高 10 kV 及 600 A 高功率（High Power）元件等效分析的最佳選擇。